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PNY MN4GSD42666 SO-DIMM DDR4 2666 MHz 4 Go CL19
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À propos du produit
La mémoire PNY Performance DDR4 offre des vitesses plus rapides, une bande passante plus élevée, une consommation d'énergie inférieure et de meilleures performances thermiques pour une amélioration notable des temps de réponse du PC lors de l'utilisation d'applications gourmandes en mémoire.
Les modules de mémoire PNY Performance DDR4 sont conçus et rigoureusement testés pour garantir des performances stables et fiables dans les environnements informatiques réels.
Caractéristiques:
- Caractéristiques
- Latence CAS : 19
- Mémoire interne : 4 Go
- Disposition de la mémoire (modules x taille) : 1 x 4 Go
- Type de mémoire interne : DDR4
- Vitesse d'horloge de la mémoire : 2666 MHz
- Composant pour : ordinateur portable
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