Samsung 860 EVO MZ-76E4T0B - SSD - chiffré - 4 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 4 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0 - Samsung
- Disque SSD interne
- Capacité: 4 To
- Connectivité: Serial ATA-600
- Format: 2.5"
- Poids: 62g Voir le descriptif
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Avis sur Samsung 860 EVO MZ - 76E4T0B - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
1 avis sur Samsung 860 EVO MZ - 76E4T0B - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
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Présentation Samsung 860 EVO MZ - 76E4T0B - SSD
- Disque SSD interne 4 To Samsung- Fabricant : Samsung
- Référence fabricant : MZ-76E4T0B/EU
Produit soumis à la Rémunération Pour Copie Privée. En savoir plus
- Un SSD dans lequel vous pouvez avoir confiance
Le SSD 860 EVO de Samsung est un disque conçu spécifiquement pour les ordinateurs portables et de bureau. Exploitant la technologie de mémoire V-NAND couplée à un contrôleur optimisé pour le traitement d'algorithmes spéciaux, ce modèle de SSD offre des performances particulièrement élevées. - Des performances améliorées
La gamme 860 EVO offre un profil de performances plus homogène que ses prédécesseurs, même lors de l'exécution de charges de travail exigeantes et de scénarios multitâches. Grâce à la technologie TurboWrite, le SSD 860 EVO affiche une vitesse pouvant aller jusqu'à 520 Mo/s en écriture et jusqu'à 550 Mo/s en lecture. La capacité de la mémoire cache TurboWrite a été augmentée de manière à permettre une exécution encore plus efficace des opérations d'écriture de données très volumineuses. - Une durée de vie accrue
Modifiez et stockez des vidéos 4K Ultra HD ou des données 3D volumineuses dans des applications de pointe sans vous soucier de la durée de vie du disque. Avec une endurance exceptionnelle les disques SSD de la famille 860 EVO acceptent une quantité de données étonnante. Une endurance exceptionnelle rendue possible grâce à la technologie de mémoire V-NAND. - Intelligent et compatible
Profitez d'une transmission de données rapide et à faible latence entre votre SSD et votre système. Les algorithmes ECC de pointe du tout nouveau contrôleur MJX assurent des performances élevées même en cas de forte fluctuation de la charge de travail, tandis que les modifications apportées à la fonction Queued Trim assurent une excellente compatibilité avec Linux. Ainsi, le SSD 860 EVO peut être utilisé avec différents systèmes informatiques.
Descriptif technique Samsung 860 EVO MZ - 76E4T0B - SSD - Disque SSD interne 4 To Samsung
Général
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
|---|---|
| Capacité | 4 To |
| Cryptage matériel | Oui |
| Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
| Type de mémoire flash NAND | Cellule multi-niveaux 3D (MLC) |
| Format | 2.5 |
| Interface | SATA 6Gb/s |
| Taille de la mémoire tampon | 4 Go |
| Caractéristiques | Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 |
| Largeur | 6.985 cm |
| Profondeur | 10 cm |
| Hauteur | 0.68 cm |
| Poids | 62 g |
Performances
| Endurance SSD | 2400 TB |
|---|---|
| Débit de transfert du lecteur | 600 Mo/s (externe) |
| Débit de transfert interne | 550 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture) |
| Lecture aléatoire 4 Ko | 10000 IOPS |
| Écriture aléatoire 4 Ko | 42000 IOPS |
| Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 90000 IOPS |
| Lecture aléatoire maximale 4 ko | 98000 IOPS |
Fiabilité
| Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
|---|
Expansion et connectivité
| Interfaces | 1 x SATA 6 Gb/s |
|---|---|
| Baie compatible | 2.5 |
Alimentation
| Consommation électrique | 3 Watt (moyenne) - 4 Watt (maximum) |
|---|
Logiciels & Configuration requise
| Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
|---|
Divers
| Normes de conformité | WWN, IEEE 1667 |
|---|
Garantie du fabricant
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
|---|
Caractéristiques d’environnement
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
|---|---|
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 1500 g @ 0.5 ms half-sine |